Mitsubishi Electric Corporation hat eine neue DFB-Laserdiode mit der Bezeichnung ML7xx42 sowie die neue Avalanche-Fotodiode PD8xx24 auf den Markt gebracht. Die beiden neuen Bauelemente wurden speziell zur Verwendung in optischen Netzwerk-Einheiten (ONU: Optical Network Units) von symmetrischen passiven optischen 10-GBit-Ethernet-Netzwerken (10G-EPON) entwickelt.

Die neue DFB-Laserdiode (DFB: Distributed Feedback) ML7xx42 enthält eine aktive AlGaInAs-Schicht, die selbst bei hohen Umgebungstemperaturen und niedrigem Betriebsstrom eine Ausgangsleistung von 10 mW zur Verfügung stellt. Durch die verbesserte Modulationsbandbreite ist die Laserdiode in der Lage, bei 10 Gbit/s ordnungsgemäß zu arbeiten. Die DFB-Laserdiode ist in einem TO-CAN-Gehäuse mit 4,8 mm Durchmesser untergebracht und mit einer asphärischen Linse versehen, um so für eine hohe Kopplungseffizienz zu sorgen. Bei der ML7xx42 liegt das spektrale Maximum bei einer Wellenlänge von 1.270 nm, während bei einer Ausgangsleistung von 10 mW der Betriebsstrom weniger als 70 mA beträgt. Die Diode wurde für den Betriebstemperaturbereich von -5 bis +75 °C entwickelt.

Für die Multiplikationsschicht der neuen, rauscharmen Avalanche-Fotodiode PD8xx24 nutzt Mitsubishi Electric AlInAs. Damit erreicht Mitsubishi Electric eine branchenweit führende Empfindlichkeit von typischerweise 31,5 dBm. Die PD8xx24 ist in einem TO-CAN-Gehäuse mit 5,4 mm Durchmesser untergebracht und mit einer Kugellinse versehen. Die Avalanche-Fotodiode (APD) arbeitet im Wellenlängen-Band um 1.570 nm und weist eine APD-Ansprechverhalten von typischerweise 0,8 A/W auf, während die Bandbreite bei 6,5 GHz (typ.) liegt.

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